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NTMFS4936N, NTMFS4936NC
TYPICAL CHARACTERISTICS
3600
3200
2800
2400
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
8
7
6
Q T
2000
5
1600
1200
800
400
0
0
5
C oss
C rss
10
15
20
25
30
4
3
2
1
0
0
Q GS
3 6
Q GD
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39 42 45
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
5
1
0
1
10
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
90
I D = 44 A
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
80
70
60
50
1
0.1
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
40
30
20
10
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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